На базы транзисторов VT4 и VT5 подано небольшое постоянное смещение 0,8-1 В (по 0,4-0,5 В на каждый транзистор). Оно недостаточно для того, чтобы открыть транзисторы, но значительно снижает порог их открывания напряжением сигнала. Смещение выбрано экспериментально с таким расчетом, чтобы при температуре транзисторов до 60 °С они еще были бы практически закрыты. Фактически транзисторы VT3 и VT4 нагреваются до значительно меньших температур, так как не имеют теплового контакта с выходными транзисторами и размещаются на отдельных теплоотводах с площадью охлаждающей поверхности около 40 см2 каждый. Выходные транзисторы установлены на одном теплоотводе с площадью охлаждающей поверхности 300 см. Максимальная выходная мощность, выделяемая на нагрузке 4 Ома при напряжении питания 12 В, равна 4 Вт. Коэффициент усиления равен 20. Входное сопротивление - 20 кОм. Искажения типа «ступенька» в выходном сигнале усилителя отсутствует полностью, о чем свидетельствуют результаты измерений нелинейных искажений, приведенные в таблице 3.
Таблица 3 - Результаты измерений нелинейных искажений
Выходное напряжение, В | 0,2 | 2 | 4 |
Коэффициент гармоник, % | 0,032 | 0,033 | 0,033 |
Для еще большего снижения нелинейных искажений схема на рисунке 16 была усовершенствована (рисунок 17) - входной каскад выполнен по схеме дифференциального каскада на транзисторах VT1, VT2 с генератором тока на транзисторе VT3. Остальная часть схемы не отличается от предыдущей.
Рисунок 17 - УМЗЧ с входным дифференциальным каскадом и выходным каскадом с ОЭ
В таблице 4 приведены результаты измерений нелинейных искажений УМЗЧ на рисунке 17.
Таблица 4 - Результаты нелинейных искажений усовершенствованного УМЗЧ
Выходное напряжение, В | 0,2 | 2 | 4 |
Коэффициент гармоник, % | 0,0014 | 0,0058 | 0,03 |
Другие статьи по теме
Блок управления для автоматизированной системы проверки межблочного монтажа При автоматизации производственных и технологических процессов в промышленности, научных исследованиях и создании новой техники требуется за ограниченное время одновременно измерять, ре ...
Исследование биполярного транзистора в статическом режиме Биполярным транзистором называют трёхслойную полупроводниковую структуру с чередующимися типом проводимости областей, созданную в едином кристалле и образующую два встречно включённых вз ...
Исследование цилиндрического резонатора с коаксиальной апертурой Современная наука и производство немыслимы без точных, экспресс-методов измерения физических параметров материалов и сред. Прецизионные измерения и исследование их характеристик актуаль ...