На базы транзисторов VT4 и VT5 подано небольшое постоянное смещение 0,8-1 В (по 0,4-0,5 В на каждый транзистор). Оно недостаточно для того, чтобы открыть транзисторы, но значительно снижает порог их открывания напряжением сигнала. Смещение выбрано экспериментально с таким расчетом, чтобы при температуре транзисторов до 60 °С они еще были бы практически закрыты. Фактически транзисторы VT3 и VT4 нагреваются до значительно меньших температур, так как не имеют теплового контакта с выходными транзисторами и размещаются на отдельных теплоотводах с площадью охлаждающей поверхности около 40 см2 каждый. Выходные транзисторы установлены на одном теплоотводе с площадью охлаждающей поверхности 300 см. Максимальная выходная мощность, выделяемая на нагрузке 4 Ома при напряжении питания 12 В, равна 4 Вт. Коэффициент усиления равен 20. Входное сопротивление - 20 кОм. Искажения типа «ступенька» в выходном сигнале усилителя отсутствует полностью, о чем свидетельствуют результаты измерений нелинейных искажений, приведенные в таблице 3.

Таблица 3 - Результаты измерений нелинейных искажений

Выходное напряжение, В	0,2	2	4
Коэффициент гармоник, %	0,032	0,033	0,033

Для еще большего снижения нелинейных искажений схема на рисунке 16 была усовершенствована (рисунок 17) - входной каскад выполнен по схеме дифференциального каскада на транзисторах VT1, VT2 с генератором тока на транзисторе VT3. Остальная часть схемы не отличается от предыдущей.

Рисунок 17 - УМЗЧ с входным дифференциальным каскадом и выходным каскадом с ОЭ

В таблице 4 приведены результаты измерений нелинейных искажений УМЗЧ на рисунке 17.

Таблица 4 - Результаты нелинейных искажений усовершенствованного УМЗЧ

Выходное напряжение, В	0,2	2	4
Коэффициент гармоник, %	0,0014	0,0058	0,03

Перейти на страницу: 1 2 

Другие статьи по теме

Блок управления для автоматизированной системы проверки межблочного монтажа При автоматизации производственных и технологических процессов в промышленности, научных исследованиях и создании новой техники требуется за ограниченное время одновременно измерять, ре ...

Исследование биполярного транзистора в статическом режиме Биполярным транзистором называют трёхслойную полупроводниковую структуру с чередующимися типом проводимости областей, созданную в едином кристалле и образующую два встречно включённых вз ...

Исследование цилиндрического резонатора с коаксиальной апертурой Современная наука и производство немыслимы без точных, экспресс-методов измерения физических параметров материалов и сред. Прецизионные измерения и исследование их характеристик актуаль ...