Технологические процессы изготовления микроакселерометра представлены его основными операциями. Укрупнённый технологический маршрут (рисунок 2.1 - рисунок 2.9) включает следующие этапы представляющие типовые технологические модули.
I. Химическая очистка кремниевых пластин (основания) перед нанесением первого диэлектрического слоя Si3N4 (Pre - LPCVD - clean)
Компоненты технологического модуля Pre - LPCVD - clean:
. Промывка в ванне со смесью H2SO4/H2O2 (перекись)
Концентрация 4:1
Время процесса 40 мин.
Область очистки - двусторонняя
Температура - 120оС
Оборудование - неметаллическая ванна
Диаметр пластин - 75мм, 100мм, 150мм
Держатель пластин - тефлоновый зажим
Толщина пластин - 200-550мкм
. Промывка в ванне с HCl/ H2O2 (перекись)
Концентрация 1:1.5
Время процесса 10 мин.
Температура - 70оС
Оборудование- полиэтиленовый контейнер
Диаметр пластин - 75мм, 100мм, 150мм
Держатель пластин - тефлоновый зажим
Толщина пластин - 300-550мкм
. Промывка в раствор HF/H2O
Концентрация HF/H2O -
Время процесса 10 c
Область очистки - двусторонняя
Оборудование - керамическая промывочная ванна
Диаметр пластин - 75мм - 150мм
Держатель пластин - тефлоновый зажим
Толщина пластин - 200-550мкм
II. Осаждение слоя Si3N4 (изолирующий слой - толщина 0, 1-0, 8 мкм)
Компоненты модуля:
. Пиролитическое осаждение нитрида кремния Si3N4
Селективность процесса - высокая
Толщина слоя - 0,1 - 0,8 мкм
Технологическая среда - NH3 + SH4
(газ)
Скорость осаждения - 16 нм/мин.
Состав осаждаемого слоя - Si3N4
III. Осаждение слоя SiO2 (диоксида кремния) методом PECVD на слой Si3N4
Компоненты модуля:
Толщина слоя - 0,08 - 3 мкм
Технологическая среда - SiH4 +N2O3
Скорость осаждения - 40 нм/мин.
Состав осаждаемого слоя - SiO2
Структура слоя - аморфная
Давление в камере - 0,45*10-2 Па
Остаточное напряжение - 350 MPa (сжатие)
Время операции - 30 мин.
Температура - 430оС
Неоднородность слоя
по толщине - 0.07
Размеры пластины - 100 мм и более
Толщина пластины - 200 - 1000 мкм
Оборудование- типовое оборудование для пиролитического осаждения SiO2 (PECVD)
IV. Фотолитография шаблона мест крепления конструкции к подложке (контактный метод Shipley 1813)
Компоненты модуля:
. Предварительная термообработка
Температура - 110оС
Время процесса 15 мин.
Оборудование - сушильная печь
Диаметр пластин - 100 - 150 мм
Держатель пластин - лодочка
Толщина пластин - 100 - 2000 мкм
. Дегидратация поверхности
Характеристики процесса:
Материал - HMDS
Оборудование - установка для нанесения фоторезиста
Держатель пластин - металлический зажим
Толщина пластин - 100 - 1000 мкм
. Нанесение фоторезиста (Shipley 1813)
Характеристики процесса:
Материал - фоторезист Shipley 1813
Толщина - 1,3 мкм
Оборудование - установка для нанесения фоторезиста
. Сушка фоторезиста
Характеристики процесса:
Давление - атмосферное
Температура- 90оС Перейти на страницу: 1 2 3
Другие статьи по теме
Использование среды Cadence Virtuoso для проектирования интегральных микросхем Принятая на сегодняшний день модель развития промышленности предполагает широкую роботизацию‚ создание гибких автоматизированных производств и отводит особое место микроэлектронике как с ...
Исследование параметров и аномалий длинной оптической линии В настоящее время системы связи стали одной из основ развития общества. Спрос на услуги связи, от обычной телефонной связи до широкополосного доступа в Интернет, постоянно растет. Это п ...
Устройство сбора данных web-камера Телевидение - это передача изображения на расстояние с помощью электронных устройств. При передаче изображения формируются электрические сигналы элементов изображения, при этом один кадр из ...