Автоматическая система контроля

Автоматизация технологических процессов

Расчет

Толщина звена при однополярном наборе

Определяем общую толщину МПП при структуре Т - СЕ - ЕССЕ - ЕС - Т.

Рассчитываем оптимальную толщину

Толщина, определяемая качеством монтажа микросхемы

Возможность реализации МПП с полученными структурами с заданными электрическими характеристиками

Условия реализации МПП выполнены.

Рисунок к примеру расчета МПП для структуры Т - СЕ - ЕССЕ - ЕС - Т.

Приложение

Таблица 3

Количество сигнальных слоев NC

Количество потенциальных слоев NE

1

2

3

4

5

6

1

СЕ

ЕСЕ

2

ССЕ

ЕССЕ СЕ-ЕС

СЕ-Е-ЕС

СЕ-Е-Е-ЕС

СЕ-Е-Е-Е-ЕС

СЕ-Е-Е-Е-Е-ЕС

3

ССЕ-ЕС

ССЕ-Е-ЕС

ССЕ-Е-Е-ЕС СЕ-ЕСЕ-ЕС

ССЕ-Е-Е-Е-ЕС СЕ-Е-ЕСЕ-ЕС

ССЕ-Е-Е-Е-Е-ЕС СЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕС

4

ССЕ-ЕСС

ССЕ-Е-ЕСС

ССЕ-Е-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ЕС

ССЕ-Е-Е-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕСЕ-ЕСС СЕ-Е-ЕССЕ-ЕС

ССЕ-Е-Е-Е-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕСС СЕ-Е-ЕССЕ-Е-ЕС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕС

5

СЕ-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-ЕСЕ-ЕСС

СЕ-Е-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-Е-ЕСЕ-ЕСС

СЕ-Е-ЕССЕ-Е-ЕСС ССЕ-Е-ЕСЕ-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕССЕ-ЕС

6

ССЕ-ЕССЕ-ЕСС

ССЕ-Е-ЕССЕ-ЕСС

ССЕ-Е-ЕССЕ-Е-ЕСС СЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ЕСЕ-ЕСС СЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЕС ССЕ-ЕСЕ-ЕСЕ-ЕСС

7

СЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЕСС ССЕ-ЕСЕ-ЕССЕ-ЕСС

8

ССЕ-ЕССЕ-ЕССЕ-ЕСС

Перейти на страницу: 1 2 3 4 5

Другие статьи по теме

Исследование биполярного транзистора в статическом режиме Биполярным транзистором называют трёхслойную полупроводниковую структуру с чередующимися типом проводимости областей, созданную в едином кристалле и образующую два встречно включённых вз ...

Изучение основных возможностей программы Electronics Workbench Цель работы: ознакомиться со средой моделирования электронных схем Electronics Workbench, провести анализ генератора Колпитца, исследовать характеристики биполярного транзистора, изучить с ...

Генератор линейно возрастающего напряжения Электроника является универсальным и исключительно эффективным средством при решении самых различных проблем в области сбора и преобразования информации, автоматического и автоматизиров ...